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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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设备以此大电源作为参照，而究竟处于何状态是不考虑的。如果有一配置仅支持一种电源模式，那么电源模式的改变会使得设备失去当前配置与地址，返回加电状态。如果一个设备是自给电源式，并且当前配置需要大于100mA电流，那么如果此设备转到了总线电源式，它返回地址状态(Addressstate)。自给电源式集线器使用VBUS来为集线控制器(Hubcontroller)提供电源，因而可以仍然保持配置状态(Configuredstate)，尽管自给电源停止提供电源。
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A设备和B设备无需交换电缆接口，即可通过主机交换协议(HNP)实现A、B设备之间的角互换。同时，为了节省电源，OTG允许总线空闲时A设备判断电源。此时，若B设备希望使用总线，可以通过会话请求协议(SRP)请求A设备提供电源。当Mini-A接口接入A设备并确定A设备为主机时；若B设备希望成为主机，则A设备向B设备发送SetFeature命令，允许B设备进行主机交换。B设备检测到总线挂起5ms后，即挂起D+并启动HNP，使总线处于SE0状态。此时A设备检测到总线处于SE0状态，即认为B设备发起主机交换，A设备进行响应。待B设备发现D+线为高电平而D-线为低电平(J状态)，表示A设备识别了B设备的HNP请求。B设备开始总线复位并具有总线控制权，主机交换协议完成。
哈佛结构:比如现在的ARM9、ARM11、Cortex系列。是将程序指令与数据进行分开的存储，也就是说，指令和数据可以有不同的数据宽度；同时，人们还采用了独立的总线，既程序总线和数据总线，分别为程序指令和数据通道，加快了执行的效率。哈佛结构的原理图:冯诺依曼结构:也被橙汁为普林斯顿结构，比如之前的ARM7、MIPS系列的处理器。是程序指令存储器与数据存储器合并在一起的存储器结构，程序指令存储地址以及数据存储地址指向了同一个存储器的不同物理地址，此时要求程序指令和数据的宽度是相同的。程序指令和数据走的是同一条总线。