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MAP_PRIVATE:建立一个写时复制（CopyonWrite）的私有映射空间。MAP_LOCKED:锁定映射区的页面，从而页面被交换出内存。...fd:进行映射的文件句柄。offset:文件偏移量（从文件的何处开始映射）。
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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USB设备在总线活动来到时结束中止态。USB设备也可以远程唤醒的电流信号来请求主机退出中止态或选择性中止态。具体设备具有的远程唤醒的能力是可选的，也就是说，如果一个设备有远程唤醒的能力，此设备能让主机控制此能力的有效与否。当设备复位时，远程唤醒能力被禁止。USB协议定义了设备的6种状态，仅在枚举过程中，设备就经历了4个状态的迁移:上电状态(Powered)，默认状态(Default)，地址状态(Address)和配置状态(Configured)（其他两种是连接状态和挂起状态（Suspend））。
对于ROM来说，现在一般都是EEPROM（也就是点可擦除编程ROM），走的是IIC协议，后面就会学到。对于flash而言，intel在88年开发的norflash，彻底更改了EEPROM一桶添加的面，NORFlash的接口书类似于SRAM的接口，所以可以通过CPU的数据总线以及地址总线访问设备，不在需要而外的控制电路，因为接口是类SRAM的，所以就支持XIP（executeinplace），也就是程序可以直接在nor上面被CPU加载运行。