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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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name:驱动的名字，如果要和设备匹配，该字段的值一般需要与设备结构体的init_name名称相匹配（其实，取决于总线的match函数）。bus:注册到哪条总线上驱动的注册和注销总线、设备、驱动的关联前面描述了总线、设备和驱动的一些基本的知识，现在我们来理清一下三者之间的关系。注册驱动或者注册设备所以说，真正的驱动函数入口是在probe函数中。当该驱动或者驱动函数正在操作的设备被移除时，内核会调用驱动函数中的remove函数调用，进行一些设备卸载相应的操作。
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NandFlash的接口则不是，NANDFlash拥有属于自己的接口，这些接口虽然是可以通过GPIO进行模拟，但是因为有NandFlash的控制器，所以一般是通过NandFlash的控制器进行控制。NandFlash比NORflash而言，存储量比较的大，起码是一个数量级，而且写入速度也是快了很多。Flash的编程原理是稚嫩通过将1写为0，不能将0写为1，也就是falsh编程之前，进行块的擦除，其实就是将整个数据块设置为1（0XFF），后续写入的数据，为1的时候，就不需要更改，写入为0的时候，就将1变为0。
D6D5=10:用户定义命令；D6D5=11:保留。D4..0:接受者类型0=设备；1=接口；2=端点；3=其它保留这个域表明此请求的特性。地，这个域表明了第二阶段控制传输方向。如果wLength域被设作0的话，表明没有数送阶段，那Direction位就会被忽略.USB说明定义了一系列设备支持的标准请求。这些请求见下面的表。另外，一个设备类可定义更多的请求。设备厂商也可定义设备支持的请求.