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urb:事务传输中的urb•dev:事务传输的目的设备•pipe:USB主机与USB设备之间数输的通道•transfer_buffer:发送数据所申请的内存缓冲区首地址•length:发送数据缓冲区的长度•context:complete函数的上下文•complete_fn:调用完成函数•usb_fill_control_urb()的setup_packet:即将被发送的设备数据包•usb_fill_int_urb()的interval:中断传输中两个URB调度的时间间隔root_hub传输若为roothub，将调用rh_urb_enqueue()，共有两种传输事务(控制传输和中断传输)非root_hub传输对于root_hub传输，它调用:root_hub本身没有批量传输流程，按照控制传输流程，控制传输要通过switch语句跳转到Bulk-Only传输流程中。
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主流的ARM移动处理芯片供应商有:高通，三星，英伟达，美满，联发科，海思。处理器的体系结构:冯.诺依曼结构（程序指令存储器和数据存储器合并在一起的存储结构）。指令集:RISC（精简指令集计算机）和CISC（复杂指令集计算机）。CISC强调增强指令的能力，减少目标代码数量，但指令复杂，指令周期长。RISC强调尽量减少指令集，指令单周期执行，但是目标代码会更大。数字信号处理器:针对通信，图像，语音，视频处理等领域的算法设计。它包含的硬件乘法器，DSP的乘法指令一般在单周期内完成，且优化了卷积，数字滤波，FFT，相关矩阵运算等算法中的大量重复乘法。
收购主要有:KEYENCE(基恩士)、光纤传感器、光电传感器、数字激光传感器、RGB颜色传感器、近接传感器、 应用传感器、接触式传感器、影像系统/视觉系统、激光位移传感器(1D)、激光位移传感器(2D)、分光干涉式激光位移计等
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
USB数输都以URB(USBRequestBlock)请求、URB生成、URB递交、URB释放为主线。当加载控制器驱动之后，注册根据集线器，hub和hcd驱动成为一个整体。接着，主机通过控制传输获取设备的控制描述符等信息，接着详述整个控制传输的流程。依据是否连接到根集线器来决定调用urb_enqueue或rh_urb_enqueue函数。USB从设备通过集线器或根集线器连接到USB主机上。比如:主机通过根集线器与外界进行数据交互，根集线器通过探测数据线状态的变化来通知USB主机是否有USB外围设备接入。