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NandFlash的接口则不是，NANDFlash拥有属于自己的接口，这些接口虽然是可以通过GPIO进行模拟，但是因为有NandFlash的控制器，所以一般是通过NandFlash的控制器进行控制。NandFlash比NORflash而言，存储量比较的大，起码是一个数量级，而且写入速度也是快了很多。Flash的编程原理是稚嫩通过将1写为0，不能将0写为1，也就是falsh编程之前，进行块的擦除，其实就是将整个数据块设置为1（0XFF），后续写入的数据，为1的时候，就不需要更改，写入为0的时候，就将1变为0。
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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对于主机，要求能响应会话请求；对于设备，仅要求能够发起SRP协议。OTG设备，不仅要求发起SRP，而且还能响应SRP请求。SRP分为数据线脉冲调制和电压脉冲调两种方式，B设备发起SRP满足以下条件:B设备检测到A设备低于其有效的电压阈值，同时B设备低于有效的电压阈值。B设备检测到D+和D-数据线至少在2ms的时间内低于有效阈值，即处于SE0状态。数据线脉冲调制会话请求:B设备等到满足以上两个条件后，将数据线接入上拉电阻一定的时间，以备A设备过滤数据线上的瞬间电压。与此同时，B设备上拉D+以便于在全速模式下进行初始化操作。A设备在检测到D+变为高电平或D-变为低电平时产生SRP指示信号。
可知，设备端驱动包含两部分:底层设备控制器驱动上层大容量存储类驱动设备控制器驱动USB设备控制器驱动主要实现GadgetAPI定义的函数和中断服务函数，可按功能划分为:API函数实现模块和中断处理模块。中断处理模块主要处理设备控制器产生的各种中断，包括端点中断、复位、挂起等中断。上图为设备端控制器基本架构，主要完成了Gadget驱动和控制器驱动绑定、注册。HCD:主机控制器驱动UDC:设备端控制器驱动OTG设备支持HNP和SRP协议。OTG设备通过USBOTG电缆连接到一起，其中接Mini-A接口的设备为A设备，默认为主机端，Mini-B接口的设备默认为B设备。当A、B设备完成数据交互之后，A、B设备之间的USBOTG电缆进入挂起状态:向A设备发起HNP请求。待A设备响应之后，A设备发送a_set_b_hnp_en，B设备响应之后即进入主机状态，同时发送请求使用A设备set_device，这样A、B设备完成主从交换。