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一个图:一个I/OI/O操作的控制流操作的控制流用户模式用户模式内核模式内核模式I/O请求包(IRPI/ORequestPacket)IRP是I/O系统为了处理一个I/O请求而用来存储必要信息的地方。当一个线程调用I/O服务时，I/O管理器构造一个IRP，用于在I/O处理此请求的过程中代表此请求。环境子系统或环境子系统或DLLDLLI/OI/O系统服务系统服务I/OI/O管理器管理器IRPIRP头部头部WRIT
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未初始化指针，非法访问；缓冲区溢出，应用传给驱动的参数过多，覆盖掉有用的数据；竞争状态（自旋锁，互斥锁）。传统的修改文件一般要经过:把文件内容读入内存中；修改内存中的内容；把内存中的数据写入到文件中。这时读写文件的中间层叫页缓存，内核使用页缓存将文件的数据块关联起来，应用程序读写文件时，实际操作的是页缓存。那么如何才能免去将页缓存的数据复制到用户空间缓冲区的过程，直接在用户空间读写页缓存呢？
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数输阶段:依据令牌阶段的IN或OUT传输，来决定数输为DATA0或DATA1来进行数输握手阶段:接收信息的一方发送ACK信号以表示接收成功；若为N，表示发送失败；STALL表示不可预知的错误控制(Control)传输作用:USB传输过程支持的传输模式。USB主机为了获取设备描述符、ID、Product等信息，向USB设备发送相应的PID命令。特点:唯一可以进行IN/OUT传输的传输模式。
服务至上:我们对客户资料信息以及服务内容严修保密，多项合作案例，以品质服务赢得了广大客户的信赖。公司秉承诚信为主、服务至上的经营理念，凭借雄厚的资金实力与先进的技术，获得客户广泛好评
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。