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NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，存储量小。NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。内容寻址RAM（CAM）:以内容进行寻址的存储器，是一种的存储阵列RAM，它的主要工作机制就是同时将一个输入的数据与存储在CAM中的数据自动进行比较，判断该输入数据项与CAM中存储单元的数据项是否相匹配，并输出该数据项对应的匹配信息。FIFO:先出队列:特点是先出，进出有序,FIFO多用于数据缓冲。
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收购主要有:KEYENCE(基恩士)、光纤传感器、光电传感器、数字激光传感器、RGB颜色传感器、近接传感器、 应用传感器、接触式传感器、影像系统/视觉系统、激光位移传感器(1D)、激光位移传感器(2D)、分光干涉式激光位移计等
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主机不停地向hub发送Get_Port_Status请求，以查询设备是否复位成功。Hub返回的报告信息中有专门的一位用来标志设备的复位状态。当hub撤销了复位信号，设备就处于默认／空闲状态（Defaultstate），准备接收主机发来的请求。设备和主机之间的通信通过控制传输，默认地址0，端点号0进行。此时，设备能从总线上得到的大电流是100mA。(的USB设备在总线复位后其地址都为0，这样主机就可以跟那些刚刚插入的设备通过地址0通信。)
未初始化指针，非法访问；缓冲区溢出，应用传给驱动的参数过多，覆盖掉有用的数据；竞争状态（自旋锁，互斥锁）。传统的修改文件一般要经过:把文件内容读入内存中；修改内存中的内容；把内存中的数据写入到文件中。这时读写文件的中间层叫页缓存，内核使用页缓存将文件的数据块关联起来，应用程序读写文件时，实际操作的是页缓存。那么如何才能免去将页缓存的数据复制到用户空间缓冲区的过程，直接在用户空间读写页缓存呢？