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其他处理器:为某种应用的特定设计。采用ASIC，CPLD/FPGA等实现。在实际项目的硬件方案中，往往会根据应用的需求方案选择通用处理器，数字处理器，特定领域处理器，CPLD/FPGA或ASIC之一的解决方案，在复杂系统中，这些芯片可同时存在，协同合作，各自发挥自己的长处。（ARM+DSP+FPGA）。存储器主要可分为只读存储器（ROM），闪存（Flash）,随机存取存储器（RAM）。
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因为根据USB2.0协议，高速（HighSpeed）设备在初始时是默认全速（FullSpeed）状态运行，所以对于一个支持USB2.0的高速hub，当它发现它的端口连接的是一个全速设备时，会进行高速检测，看看目前这个设备是否还支持高速传输，如果是，那就切到高速信号模式，否则就一直在全速状态下工作。同样的，从设备的角度来看，如果是一个高速设备，在刚连接bub或上电时只能用全速信号模式运行（根据USB2.0协议，高速设备向下兼容USB1.1的全速模式）。随后hub会进行高速检测，之后这个设备才会切换到高速模式下工作。假如所连接的hub不支持USB2.0，即不是高速hub，不能进行高速检测，设备将一直以全速工作。
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哈佛结构:比如现在的ARM9、ARM11、Cortex系列。是将程序指令与数据进行分开的存储，也就是说，指令和数据可以有不同的数据宽度；同时，人们还采用了独立的总线，既程序总线和数据总线，分别为程序指令和数据通道，加快了执行的效率。哈佛结构的原理图:冯诺依曼结构:也被橙汁为普林斯顿结构，比如之前的ARM7、MIPS系列的处理器。是程序指令存储器与数据存储器合并在一起的存储器结构，程序指令存储地址以及数据存储地址指向了同一个存储器的不同物理地址，此时要求程序指令和数据的宽度是相同的。程序指令和数据走的是同一条总线。
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NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，存储量小。NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。内容寻址RAM（CAM）:以内容进行寻址的存储器，是一种的存储阵列RAM，它的主要工作机制就是同时将一个输入的数据与存储在CAM中的数据自动进行比较，判断该输入数据项与CAM中存储单元的数据项是否相匹配，并输出该数据项对应的匹配信息。FIFO:先出队列:特点是先出，进出有序,FIFO多用于数据缓冲。