甘肃回收三菱5U系列模块多少钱
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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Linux有许多功能是通过模块的方式，在需要时才载入kernel，如此可使kernel较为精简，进而提率，以及保有较大的弹性。这类可载入的模块，通常是设备驱动程序。insmod:加载模块，需要指定完整的路径和模块名字modprobe:加载有依赖的模块，根据depmod-a的输出/lib/modules/version/modules.dep来加载的所需要模块。rmmod:卸载模块。module_init(init_function):模块被加载时被调用的函数。module_exit(cleanup_function):模块卸载时被调用的函数。当使用insmod加载模块时，module_init的init_function函数会被调用；当使用module_exit加载模块时，module_init的cleanup_function函数会被调用；总线是处理器和设备之间的通道，在设备模型中，的设备都通过总线相连，以总线来管理设备和驱动函数。
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RAM可以分为:静态的RAM，也就是SRAM，和动态RAM，既DRAM。SRAM是数据被写上之后，就保持较为稳定的状态，因此不需要定期去刷新数据，一般CPU内部的高速缓存（cache）就是SRAM。而DRAM，是动态的，一般是以电荷的形式进行存储，也就是数据被存储在电容器，电容器因为漏电会导致电荷的流失，所以需要在定期地进行数据的刷新，我们常说的SDRAM、DDRSDRAM都是属于DRAM的范畴，一般将其理解为内存比较好理解。
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这里指的USB端口指的是主机下的根hub或主机下行端口上的hub端口。Hub给端口供电，连接着的设备处于上电状态。此时，USB设备处于加电状态，它所连接的端口是无效的。在hub端，数据线D+和D-都有一个阻值在14.25k到24.8k的下拉电阻Rpd，而在设备端，D+（全速，高速）和D-（低速）上有一个1.5k的上拉电阻Rpu。当设备插入到hub端口时，有上拉电阻的一根数据线被拉高到幅值的90%的电压（大致是3V）。hub检测到它的一根数据线是高电平，就认为是有设备插入，并能根据是D+还是D-被拉高来判断到底是什么设备（全速/低速）插入端口（全速、高速设备的区分在我将来的文章中描述）。