甘肃回收三菱驱动器厂家
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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这个请求返回存在的描述符.wValue域:高一字节:标识描述表类型(DescriptorTypes)低一字节:表示描述符号的索引，将几个类型相同的描述符应用到设备中时，描述符索引用于选择一个特定的描述符（只能是配置和字符串描述符）。例如:设备可以用几个配置描述符。对于其他可以通过GetDescriptor()请求取得的标准描述符来说，描述符的索引须为0。描述符索引值的范围从0开始到设备使用该类型描述符的数量减1。
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对于主机，要求能响应会话请求；对于设备，仅要求能够发起SRP协议。OTG设备，不仅要求发起SRP，而且还能响应SRP请求。SRP分为数据线脉冲调制和电压脉冲调两种方式，B设备发起SRP满足以下条件:B设备检测到A设备低于其有效的电压阈值，同时B设备低于有效的电压阈值。B设备检测到D+和D-数据线至少在2ms的时间内低于有效阈值，即处于SE0状态。数据线脉冲调制会话请求:B设备等到满足以上两个条件后，将数据线接入上拉电阻一定的时间，以备A设备过滤数据线上的瞬间电压。与此同时，B设备上拉D+以便于在全速模式下进行初始化操作。A设备在检测到D+变为高电平或D-变为低电平时产生SRP指示信号。
哈佛结构与冯诺依曼的结构差异，比较的明显，其实从是否有专有的总线就可以进行区分。会提供自己的指令集（想当时不同区域的人，有自己当地的方言），这些指令集可以分为精简指令集和复杂指令集。复杂指令集:以上楼梯为例子，每走一步、每一步的步伐大小、速率都不一样，但是这些不同的走法，都有对应的、确定的一条指令，楼梯20步，所以就有20条指令，因此目标的代码就会是比较的少，但是需要程序猿记住N多的指令，复杂的指令，指令的周期长。复杂指令集，较为代表性的是intel的X86。