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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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一个图:一个I/OI/O操作的控制流操作的控制流用户模式用户模式内核模式内核模式I/O请求包(IRPI/ORequestPacket)IRP是I/O系统为了处理一个I/O请求而用来存储必要信息的地方。当一个线程调用I/O服务时，I/O管理器构造一个IRP，用于在I/O处理此请求的过程中代表此请求。环境子系统或环境子系统或DLLDLLI/OI/O系统服务系统服务I/OI/O管理器管理器IRPIRP头部头部WRIT
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根据设备读写操作特征差异的原则，分为以下三类:字符设备，准确的说应该叫“字节设备”，软件操作设备时是以字节为单位进行的。典型的如LCD、串口（一个一个字节的去读或者去发送）、LED（读写寄存器也是以字节为单位操作的）、蜂鸣器、触摸屏等等。块设备，块设备是相对于字符设备定义的，块设备被软件操作时是以块（多个字节构成的一个单位）为单位的。设备的块大小是设备本身设计时定义好的，软件是不能去更改的，不同设备的块大小可以不一样。常见的块设备都是存储类设备，如:硬盘、NandFlash、iNand、SD等，想将某个字节的a改成b，将整个块读取到内存中，找到这个字节，将这个字节修改（在内存中可以以字节为单位访问），然后将整个块的内容再写入到块设备中。
德州仪器（TI），美国件公司（ADI）是DSP的两大主厂商。其他处理器:为某种应用的特定设计。采用ASIC，CPLD/FPGA等实现。在实际项目的硬件方案中，往往会根据应用的需求方案选择通用处理器，数字处理器，特定领域处理器，CPLD/FPGA或ASIC之一的解决方案，在复杂系统中，这些芯片可同时存在，协同合作，各自发挥自己的长处。（ARM+DSP+FPGA）。存储器存储器主要可分为只读存储器（ROM），闪存（Flash）,随机存取存储器（RAM）。ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。