广东回收三菱FX5U-80MR/ES厂家
枚举就是从设备读取一些信息，知道设备是什么样的设备，如何进行通信，这样主机就可以根据这些信息来加载合适的驱动程序。调试USB设备，很重要的一点就是USB的枚举过程，只要枚举成功了，那么就已经成功大半了。USB架构中，hub负责检测设备的连接和断开，利用其中断IN端点(InterruptINEndpoint)来向主机（Host）报告。在系统启动时，主机轮询它的根hub（RootHub）的状态看是否有设备（包括子hub和子hub上的设备）连接。USB总线拓扑结构见下图（顶端为主机的RootHub）:
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以太网接口由MAC(以太网媒体接入控制器)和PHY(物理接口收发器)组成。以太网MAC由IEEE802.3以太网标准定义，实现数据链路层。常用的MAC支持10Mbit/s和100Mbit/s两种速率。吉比特网是以太网的下一代，速度将高达1000Mbit/s.PCI和PCI-EPCI是一种部总线，作为一种通用的总线接口标准，它目前在计算机系统中得到了广泛的应用。SD和SDIOSD是一种关于FLASH的储存卡的标准，也就是一般常见的SD记忆卡，在设计上与MMC保持兼容。SDIO在SD标准的基础上，定义了储存卡以外的外设接口。CPLD和FPGACPLD由可编程的与或门阵列以及宏单元构成。与CPLD不同，FPGA（现场可编程门阵列）基于LUT（查找表）工艺。CPLD和FPGA的主要厂商有Altera,Xilinx和Lattice等，它们专门的开发流程，在设计阶段使用HDL编程。它们可实现许多复杂功能，如实现USART，I2C等I/O控制芯片，通信算法，音视频解码算法等。甚至还可以直接集成ARM等CPU内核和外围电路。对于驱动工程师而言，我们就直接把它看成由很多逻辑门（与或非）组成的可完成一系列功能的芯片。如果完成的功能是CPU，我们就直接把它看成是CPU。
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
收购主要有:KEYENCE(基恩士)、光纤传感器、光电传感器、数字激光传感器、RGB颜色传感器、近接传感器、 应用传感器、接触式传感器、影像系统/视觉系统、激光位移传感器(1D)、激光位移传感器(2D)、分光干涉式激光位移计等
一个图:一个I/OI/O操作的控制流操作的控制流用户模式用户模式内核模式内核模式I/O请求包(IRPI/ORequestPacket)IRP是I/O系统为了处理一个I/O请求而用来存储必要信息的地方。当一个线程调用I/O服务时，I/O管理器构造一个IRP，用于在I/O处理此请求的过程中代表此请求。环境子系统或环境子系统或DLLDLLI/OI/O系统服务系统服务I/OI/O管理器管理器IRPIRP头部头部WRIT