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哈佛结构:比如现在的ARM9、ARM11、Cortex系列。是将程序指令与数据进行分开的存储，也就是说，指令和数据可以有不同的数据宽度；同时，人们还采用了独立的总线，既程序总线和数据总线，分别为程序指令和数据通道，加快了执行的效率。哈佛结构的原理图:冯诺依曼结构:也被橙汁为普林斯顿结构，比如之前的ARM7、MIPS系列的处理器。是程序指令存储器与数据存储器合并在一起的存储器结构，程序指令存储地址以及数据存储地址指向了同一个存储器的不同物理地址，此时要求程序指令和数据的宽度是相同的。程序指令和数据走的是同一条总线。
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对于主机，要求能响应会话请求；对于设备，仅要求能够发起SRP协议。OTG设备，不仅要求发起SRP，而且还能响应SRP请求。SRP分为数据线脉冲调制和电压脉冲调两种方式，B设备发起SRP满足以下条件:B设备检测到A设备低于其有效的电压阈值，同时B设备低于有效的电压阈值。B设备检测到D+和D-数据线至少在2ms的时间内低于有效阈值，即处于SE0状态。数据线脉冲调制会话请求:B设备等到满足以上两个条件后，将数据线接入上拉电阻一定的时间，以备A设备过滤数据线上的瞬间电压。与此同时，B设备上拉D+以便于在全速模式下进行初始化操作。A设备在检测到D+变为高电平或D-变为低电平时产生SRP指示信号。
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对于ROM来说，现在一般都是EEPROM（也就是点可擦除编程ROM），走的是IIC协议，后面就会学到。对于flash而言，intel在88年开发的norflash，彻底更改了EEPROM一桶添加的面，NORFlash的接口书类似于SRAM的接口，所以可以通过CPU的数据总线以及地址总线访问设备，不在需要而外的控制电路，因为接口是类SRAM的，所以就支持XIP（executeinplace），也就是程序可以直接在nor上面被CPU加载运行。
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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