上海回收西门子变频器上门回收电话
默认状态(Default)设备上电后,它不响应总线处理,直到总线接收到复位信号为止.接收到复位信号后,用默认的地址可以对设备寻址.当用复位过程完成后,USB设备在正确的速度下操作(即低速/全速/高速).低速和全速的数据选择由设备的终端电阻决定.能进行高速操作的设备决定它是否在复位的过程的一部分执行高速操作.能进行高速操作的设备在全速的电气环境中操作时,能以全速成功复位.设备成功复位后,设备成功响应设备和配置描述符请求,并且返回适当的信息.当在全速下工作时,设备可能或者不能支持预定义的功能.
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那么它提供了哪些方法呢？此时我们看一下gendisk是个什么东西。说实话，这个结构体太重要，也很复杂，内核使用它来表示一个独立的磁盘设备，实际上，内核还使用它表示分区，驱动程序对它进行初始化。它的前面几个成员变量的作用，通过注释大概明白它的意思，这里，我们主要关注一下以下几个:block_device_operations该结构体源码如下:该结构体用来告诉系统块设备提供的操作接口，而字符设备对应的结构体为file_operations，有兴趣的自己理解。
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USB主机和USB设备之间进行数据交互，USB设备本身并没有总线控制权，U盘被动地接收USB主机发送过来的信息并做出响应。USB主机控制器与根集线器构成了主机系统，然后外接其它的USB设备。为了地探测到根集线器的状态变化，USB主机控制器驱动增加了状态轮询函数，以一定的时间间隔轮询根集线器状态是否发生变化。一旦根集线器状态发生变化，主机控制器就会产生相应的响应。USB主机和USB设备之间的数输以URB(USBRequestBlock)的形式进行。
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。