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NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，存储量小。NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。内容寻址RAM（CAM）:以内容进行寻址的存储器，是一种的存储阵列RAM，它的主要工作机制就是同时将一个输入的数据与存储在CAM中的数据自动进行比较，判断该输入数据项与CAM中存储单元的数据项是否相匹配，并输出该数据项对应的匹配信息。FIFO:先出队列:特点是先出，进出有序,FIFO多用于数据缓冲。
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在讲解枚举之前，先大概说说USB的一种传输模式——控制传输。这种传输在USB中是重要的，它要数据的正确性，在设备的枚举过程中都是使用控制传输的。控制传输分为三个阶段:①建立阶段。②数据阶段。③确认阶段。建立（setup）阶段:都是由USB主机发起，它是一个setup数据包，里面包含一些数据请求的命令以及一些数据。如果建立阶段是输入请求，那么数据阶段就要输入数据；如果建立阶段是输出请求，那么数据阶段就要输出数据。如果在数据阶段，即便不需要传送数据，也要发一个0长度的数据包。数据阶段过后就是确认阶段。确认阶段刚好跟数据阶段相反，如果是输入请求，则它是一个输出数据包；如果是输出请求，则它是一个输入数据包。确认阶段用来确认数据的正确传输。
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NandFlash的接口则不是，NANDFlash拥有属于自己的接口，这些接口虽然是可以通过GPIO进行模拟，但是因为有NandFlash的控制器，所以一般是通过NandFlash的控制器进行控制。NandFlash比NORflash而言，存储量比较的大，起码是一个数量级，而且写入速度也是快了很多。Flash的编程原理是稚嫩通过将1写为0，不能将0写为1，也就是falsh编程之前，进行块的擦除，其实就是将整个数据块设置为1（0XFF），后续写入的数据，为1的时候，就不需要更改，写入为0的时候，就将1变为0。
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请求可被导引到设备，设备接口，或某一个设备端结点(endpoint)上。这个请求域也指定了接收者。当指定的是接口或端结点(endpoint)时，wIndex域指出那个接口或端节点。bmRequest(什么请求)这个域标识的请求。bmRequestType域的Type字段可修改此域的含义。本文仅定义Type字段为0即标准设备请求时bRequest域值的含义。wValue域此域用来传送当前请求的参数，随请求不同而变。wIndex域当bmRequestType的Recipient字段为接口或端点时，wIndex域用来表明是哪一个接口或端结。wLength域这个域表明第二阶段的数输长度。传输方向由bmRequstType域的Direction位指出。wLength域为0则表明无数输。在输入请求下，设备返回的数据长度不应多于wLength，但可以少于。在输出请求下，wLength指出主机发出的确切数据量。如果主机发送多于wLength的数据，设备做出的响应是无定义的。