四川回收三菱模块厂家
德州仪器（TI），美国件公司（ADI）是DSP的两大主厂商。其他处理器:为某种应用的特定设计。采用ASIC，CPLD/FPGA等实现。在实际项目的硬件方案中，往往会根据应用的需求方案选择通用处理器，数字处理器，特定领域处理器，CPLD/FPGA或ASIC之一的解决方案，在复杂系统中，这些芯片可同时存在，协同合作，各自发挥自己的长处。（ARM+DSP+FPGA）。存储器存储器主要可分为只读存储器（ROM），闪存（Flash）,随机存取存储器（RAM）。ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。
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USB总线拓扑结构一旦获悉有新设备连接上来，主机就会发送一系列的请求(Resqusts)给设备所挂载到的hub，再由hub建立起一条连接主机（Host）和设备（Device）之间的通信通道。然后主机以控制传输(ControlTransfer)的方式，通过端点0(Endpoint0)对设备发送各种请求，设备收到主机发来的请求后回复相应的信息，进行枚举（Enumerate）操作。的USB设备支持标准请求（StandardRequests），控制传输方式（ControlTransfer）和端点0（Endpoint0）。
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将驱动与应用放在同一个层级，这显然是的不合理，因为不符合高内聚、低耦合。内聚:要求模块的内部，紧密结合，实现的功能专一低耦合:要求模块之间耦合度低（模块与模块之间联系少，使之模块与模块之间独立性好），当修改模块的时候，不会因耦合度高，而动一发而牵全身，在低耦合的情况下，低耦合的模块，只需要修改本模块的代码就可以。当在应用层里面直接进行驱动硬件的时候，那么这种情况是更为糟糕的，因为没有通过单独设计驱动模块，也就是说，这些驱动的代码没有被重用（每一个需要驱动硬件的时候，就需要重新编写代码）
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。