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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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数据宽度:控制传输方式可以以8、16、32或64字节的数据进行传输，这取决于设备的传输速度。USB主机和设备之间支持控制传输，通过端点0进行数输。控制传输分为令牌、数输和握手阶段。作用:按照一定时刻轮询设备是否有中断传输请求特点:查询频率取决于端点的模式结构，从1到255ms不等中断传输主要用于实时性要求高的从机设备，如键盘操纵杆和Mouse等传输过程也分为令牌阶段、数输和握手阶段USB协议中共定义了以下四种描述符:每个USB设备都有一个唯一的设备描述符，如下表所示:每个USB设备都有默认的配置描述符，支持至少一个接口，每个配置描述符如下表:设备应至少支持一个接口，如:块传输数据接口，部分设备可能支持其它的接口。复合设备可以支持额外接口，以支持音频和视频功能。标准中并没有定义此类接口。接口可能有多个可选设置，主机将会检查每个可选的设置。
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未初始化指针，非法访问；缓冲区溢出，应用传给驱动的参数过多，覆盖掉有用的数据；竞争状态（自旋锁，互斥锁）。传统的修改文件一般要经过:把文件内容读入内存中；修改内存中的内容；把内存中的数据写入到文件中。这时读写文件的中间层叫页缓存，内核使用页缓存将文件的数据块关联起来，应用程序读写文件时，实际操作的是页缓存。那么如何才能免去将页缓存的数据复制到用户空间缓冲区的过程，直接在用户空间读写页缓存呢？