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未初始化指针,非法访问;缓冲区溢出,应用传给驱动的参数过多,覆盖掉有用的数据;竞争状态(自旋锁,互斥锁)。传统的修改文件一般要经过:把文件内容读入内存中;修改内存中的内容;把内存中的数据写入到文件中。这时读写文件的中间层叫页缓存,内核使用页缓存将文件的数据块关联起来,应用程序读写文件时,实际操作的是页缓存。那么如何才能免去将页缓存的数据复制到用户空间缓冲区的过程,直接在用户空间读写页缓存呢?
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那么它提供了哪些方法呢?此时我们看一下gendisk是个什么东西。说实话,这个结构体太重要,也很复杂,内核使用它来表示一个独立的磁盘设备,实际上,内核还使用它表示分区,驱动程序对它进行初始化。它的前面几个成员变量的作用,通过注释大概明白它的意思,这里,我们主要关注一下以下几个:block_device_operations该结构体源码如下:该结构体用来告诉系统块设备提供的操作接口,而字符设备对应的结构体为file_operations,有兴趣的自己理解。
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一个设备可能有既支持自给电源的,同时也支持总线电源式的配置。有一些支持其中的一种,而另一些设备配置可能只有在自给电源下才能被使用。设备对电源支持的能力是通过配置描述表(configurationdescriptor)来反映的。当前的电源供给形式被作为设备状态的一部分被反映出来。设备可在时候改变它们的供电来源,比如说:从自给式向总线式改变,如果一个配置同时支持两种模式,那此状态的大电源需求就是指设备在两种模式下从VBUS上获取电能的大值。
ROM在可细分为:不可编程ROM,可编程ROM,电可擦除可编程ROM(E2PROM),它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非),NAND(与非)两种,Intel于1988年首先开发出Norflash技术,紧接着1989年,东芝发表了NANDflash结构,彻底改变了原先的EPROM,EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行,支持位擦写,支持SPI接口,NandFlash:储存量大,页擦除,占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中,擦写速度快,由于电容器有漏电现象,因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路,储存速度慢。(好坏,快慢都是相比较而言的)其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址,数据总线,用于两个处理器之间的数据交互,具有同时读写的的功能。