宁夏回收西门子ET200系列模块公司
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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默认状态:当设备处于默认状态时接收到这个请求，设备的行为没有定义地址状态:设备给出请求错误配置状态:当设备处于配置状态时，这是一个有效的请求在USB主机系统中，通过根集线器与外部USB从机设备相连的处理芯片，称为USB主机控制器。USB主机控制器包含硬件、软件和固件一部分。USB设备按功能分为两部分:集线器(Hub)和功能部件。从下图可知，主机通过根集线器连接到各种外围设备(集线器和功能部件)。
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德州仪器（TI），美国件公司（ADI）是DSP的两大主厂商。其他处理器:为某种应用的特定设计。采用ASIC，CPLD/FPGA等实现。在实际项目的硬件方案中，往往会根据应用的需求方案选择通用处理器，数字处理器，特定领域处理器，CPLD/FPGA或ASIC之一的解决方案，在复杂系统中，这些芯片可同时存在，协同合作，各自发挥自己的长处。（ARM+DSP+FPGA）。存储器存储器主要可分为只读存储器（ROM），闪存（Flash）,随机存取存储器（RAM）。ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。
在嵌入式领域，可分为硬件开发和软件开发。对于软件开发又可分为底层开发（模块驱动编写，uboot,内核），上层开发（应用，QT）。作为一名软件驱动开发的工程师，我们不需要去设计硬件的原理图，PCB。我们只需看懂硬件开发人员提供的硬件模块时序就行了，但是我们应该也需了解如下硬件知识。处理器可分为通用处理器(单片机，ARM)，数字处理器（DSP），其他处理器（FPGA）在通用处理器领域中，采用的内核有AVR，PIC，ARM。在当今通用处理器芯片大多数采用ARM架构并且多采用SOC的芯片设计方法，集成了各种功能模块（图形处理器，视频解码器，浮点协处理器，GPS，WIFI等），每一种功能都是由硬件描述语言设计程序，然后在Soc内由电路连接实现。处理器的体系结构:冯.诺依曼结构（程序指令存储器和数据存储器合并在一起的存储结构），哈佛结构（