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以太网接口由MAC(以太网媒体接入控制器)和PHY(物理接口收发器)组成。以太网MAC由IEEE802.3以太网标准定义，实现数据链路层。常用的MAC支持10Mbit/s和100Mbit/s两种速率。吉比特网是以太网的下一代，速度将高达1000Mbit/s.PCI和PCI-EPCI是一种部总线，作为一种通用的总线接口标准，它目前在计算机系统中得到了广泛的应用。SD和SDIOSD是一种关于FLASH的储存卡的标准，也就是一般常见的SD记忆卡，在设计上与MMC保持兼容。SDIO在SD标准的基础上，定义了储存卡以外的外设接口。CPLD和FPGACPLD由可编程的与或门阵列以及宏单元构成。与CPLD不同，FPGA（现场可编程门阵列）基于LUT（查找表）工艺。CPLD和FPGA的主要厂商有Altera,Xilinx和Lattice等，它们专门的开发流程，在设计阶段使用HDL编程。它们可实现许多复杂功能，如实现USART，I2C等I/O控制芯片，通信算法，音视频解码算法等。甚至还可以直接集成ARM等CPU内核和外围电路。对于驱动工程师而言，我们就直接把它看成由很多逻辑门（与或非）组成的可完成一系列功能的芯片。如果完成的功能是CPU，我们就直接把它看成是CPU。
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连接嵌入式系统中，较为常用硬件基本知识。处理器（CPU），既处理器，实现任务的计算功能。早起的CPU就是CPU，而到后期集成电路的发展，在CPU封装的时候，而外将外设的控制器（比如串口）和外设（比如显卡）直接封装了进去，这个时候的CPU不只是基本的CPU，我们可以称之为SOC，也就是systemonchip，片上系统。一般的处理器是可分为两种结构，一种是哈佛结构、一种是冯诺依曼结构。
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
哈佛结构:比如现在的ARM9、ARM11、Cortex系列。是将程序指令与数据进行分开的存储，也就是说，指令和数据可以有不同的数据宽度；同时，人们还采用了独立的总线，既程序总线和数据总线，分别为程序指令和数据通道，加快了执行的效率。哈佛结构的原理图:冯诺依曼结构:也被橙汁为普林斯顿结构，比如之前的ARM7、MIPS系列的处理器。是程序指令存储器与数据存储器合并在一起的存储器结构，程序指令存储地址以及数据存储地址指向了同一个存储器的不同物理地址，此时要求程序指令和数据的宽度是相同的。程序指令和数据走的是同一条总线。