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将驱动与应用放在同一个层级,这显然是的不合理,因为不符合高内聚、低耦合。内聚:要求模块的内部,紧密结合,实现的功能专一低耦合:要求模块之间耦合度低(模块与模块之间联系少,使之模块与模块之间独立性好),当修改模块的时候,不会因耦合度高,而动一发而牵全身,在低耦合的情况下,低耦合的模块,只需要修改本模块的代码就可以。当在应用层里面直接进行驱动硬件的时候,那么这种情况是更为糟糕的,因为没有通过单独设计驱动模块,也就是说,这些驱动的代码没有被重用(每一个需要驱动硬件的时候,就需要重新编写代码)
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USB初始化过程中,无论是主机控制器驱动还是根集线器驱动,都是通过URB传输获取设备信息。为urb分配内存并执行初始化。初始化具体的urb包不同的传输模式下,驱动为之申请不同的URB。其中,Linux内核只支持同步传输外的三种传输事件,ISO事务需要手工进行初始化工作。控制传输事务、批量传输事务、中断传输事务API如上所示。事务传输模式下的URB初始化函数有很多相似之处,主要参数含义如下:
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ROM在可细分为:不可编程ROM,可编程ROM,电可擦除可编程ROM(E2PROM),它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非),NAND(与非)两种,Intel于1988年首先开发出Norflash技术,紧接着1989年,东芝发表了NANDflash结构,彻底改变了原先的EPROM,EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行,支持位擦写,支持SPI接口,NandFlash:储存量大,页擦除,占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中,擦写速度快,由于电容器有漏电现象,因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路,储存速度慢。(好坏,快慢都是相比较而言的)其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址,数据总线,用于两个处理器之间的数据交互,具有同时读写的的功能。
这里指的USB端口指的是主机下的根hub或主机下行端口上的hub端口。Hub给端口供电,连接着的设备处于上电状态。此时,USB设备处于加电状态,它所连接的端口是无效的。在hub端,数据线D+和D-都有一个阻值在14.25k到24.8k的下拉电阻Rpd,而在设备端,D+(全速,高速)和D-(低速)上有一个1.5k的上拉电阻Rpu。当设备插入到hub端口时,有上拉电阻的一根数据线被拉高到幅值的90%的电压(大致是3V)。hub检测到它的一根数据线是高电平,就认为是有设备插入,并能根据是D+还是D-被拉高来判断到底是什么设备(全速/低速)插入端口(全速、高速设备的区分在我将来的文章中描述)。
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