南通回收三菱FX5U-80MR/ES厂家有哪些
在嵌入式领域，可分为硬件开发和软件开发。对于软件开发又可分为底层开发（模块驱动编写，uboot,内核），上层开发（应用，QT）。作为一名软件驱动开发的工程师，我们不需要去设计硬件的原理图，PCB。我们只需看懂硬件开发人员提供的硬件模块时序就行了，但是我们应该也需了解如下硬件知识。处理器可分为通用处理器(单片机，ARM)，数字处理器（DSP），其他处理器（FPGA）在通用处理器领域中，采用的内核有AVR，PIC，ARM。在当今通用处理器芯片大多数采用ARM架构并且多采用SOC的芯片设计方法，集成了各种功能模块（图形处理器，视频解码器，浮点协处理器，GPS，WIFI等），每一种功能都是由硬件描述语言设计程序，然后在Soc内由电路连接实现。处理器的体系结构:冯.诺依曼结构（程序指令存储器和数据存储器合并在一起的存储结构），哈佛结构（
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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哈佛结构:比如现在的ARM9、ARM11、Cortex系列。是将程序指令与数据进行分开的存储，也就是说，指令和数据可以有不同的数据宽度；同时，人们还采用了独立的总线，既程序总线和数据总线，分别为程序指令和数据通道，加快了执行的效率。哈佛结构的原理图:冯诺依曼结构:也被橙汁为普林斯顿结构，比如之前的ARM7、MIPS系列的处理器。是程序指令存储器与数据存储器合并在一起的存储器结构，程序指令存储地址以及数据存储地址指向了同一个存储器的不同物理地址，此时要求程序指令和数据的宽度是相同的。程序指令和数据走的是同一条总线。
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NandFlash的接口则不是，NANDFlash拥有属于自己的接口，这些接口虽然是可以通过GPIO进行模拟，但是因为有NandFlash的控制器，所以一般是通过NandFlash的控制器进行控制。NandFlash比NORflash而言，存储量比较的大，起码是一个数量级，而且写入速度也是快了很多。Flash的编程原理是稚嫩通过将1写为0，不能将0写为1，也就是falsh编程之前，进行块的擦除，其实就是将整个数据块设置为1（0XFF），后续写入的数据，为1的时候，就不需要更改，写入为0的时候，就将1变为0。