盐城回收三菱FX3U-64MR/ES公司
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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USB全速/高速设备上电连接检测到设备后，hub继续给设备供电，但并不急于与设备进行USB传输。USB接口定义如下图所示:每个hub利用它自己的中断端点向主机报告它的各个端口的状态（对于这个过程，设备是看不到的，也不必关心），报告的内容只是hub端口的设备连接／断开的事件。如果有连接／断开事件发生，那么host会发送一个Get_Port_Status请求(request)给hub以了解此次状态改变的确切含义。Get_Port_Status等请求属于hub都要求支持的hub类标准请求（standardhub-classrequests）。
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A设备和B设备无需交换电缆接口，即可通过主机交换协议(HNP)实现A、B设备之间的角互换。同时，为了节省电源，OTG允许总线空闲时A设备判断电源。此时，若B设备希望使用总线，可以通过会话请求协议(SRP)请求A设备提供电源。当Mini-A接口接入A设备并确定A设备为主机时；若B设备希望成为主机，则A设备向B设备发送SetFeature命令，允许B设备进行主机交换。B设备检测到总线挂起5ms后，即挂起D+并启动HNP，使总线处于SE0状态。此时A设备检测到总线处于SE0状态，即认为B设备发起主机交换，A设备进行响应。待B设备发现D+线为高电平而D-线为低电平(J状态)，表示A设备识别了B设备的HNP请求。B设备开始总线复位并具有总线控制权，主机交换协议完成。
德州仪器（TI），美国件公司（ADI）是DSP的两大主厂商。其他处理器:为某种应用的特定设计。采用ASIC，CPLD/FPGA等实现。在实际项目的硬件方案中，往往会根据应用的需求方案选择通用处理器，数字处理器，特定领域处理器，CPLD/FPGA或ASIC之一的解决方案，在复杂系统中，这些芯片可同时存在，协同合作，各自发挥自己的长处。（ARM+DSP+FPGA）。存储器存储器主要可分为只读存储器（ROM），闪存（Flash）,随机存取存储器（RAM）。ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。