舟山回收三菱FX3U-128MT/ES公司
一个设备可能有既支持自给电源的，同时也支持总线电源式的配置。有一些支持其中的一种，而另一些设备配置可能只有在自给电源下才能被使用。设备对电源支持的能力是通过配置描述表(configurationdescriptor)来反映的。当前的电源供给形式被作为设备状态的一部分被反映出来。设备可在时候改变它们的供电来源，比如说:从自给式向总线式改变，如果一个配置同时支持两种模式，那此状态的大电源需求就是指设备在两种模式下从VBUS上获取电能的大值。
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ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。
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根据设备读写操作特征差异的原则，分为以下三类:字符设备，准确的说应该叫“字节设备”，软件操作设备时是以字节为单位进行的。典型的如LCD、串口（一个一个字节的去读或者去发送）、LED（读写寄存器也是以字节为单位操作的）、蜂鸣器、触摸屏等等。块设备，块设备是相对于字符设备定义的，块设备被软件操作时是以块（多个字节构成的一个单位）为单位的。设备的块大小是设备本身设计时定义好的，软件是不能去更改的，不同设备的块大小可以不一样。常见的块设备都是存储类设备，如:硬盘、NandFlash、iNand、SD等，想将某个字节的a改成b，将整个块读取到内存中，找到这个字节，将这个字节修改（在内存中可以以字节为单位访问），然后将整个块的内容再写入到块设备中。
将驱动与应用放在同一个层级，这显然是的不合理，因为不符合高内聚、低耦合。内聚:要求模块的内部，紧密结合，实现的功能专一低耦合:要求模块之间耦合度低（模块与模块之间联系少，使之模块与模块之间独立性好），当修改模块的时候，不会因耦合度高，而动一发而牵全身，在低耦合的情况下，低耦合的模块，只需要修改本模块的代码就可以。当在应用层里面直接进行驱动硬件的时候，那么这种情况是更为糟糕的，因为没有通过单独设计驱动模块，也就是说，这些驱动的代码没有被重用（每一个需要驱动硬件的时候，就需要重新编写代码）