衢州回收西门子触摸屏厂家电话
对于ROM来说，现在一般都是EEPROM（也就是点可擦除编程ROM），走的是IIC协议，后面就会学到。对于flash而言，intel在88年开发的norflash，彻底更改了EEPROM一桶添加的面，NORFlash的接口书类似于SRAM的接口，所以可以通过CPU的数据总线以及地址总线访问设备，不在需要而外的控制电路，因为接口是类SRAM的，所以就支持XIP（executeinplace），也就是程序可以直接在nor上面被CPU加载运行。
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默认状态(Default)设备上电后,它不响应总线处理,直到总线接收到复位信号为止.接收到复位信号后,用默认的地址可以对设备寻址.当用复位过程完成后,USB设备在正确的速度下操作(即低速/全速/高速).低速和全速的数据选择由设备的终端电阻决定.能进行高速操作的设备决定它是否在复位的过程的一部分执行高速操作.能进行高速操作的设备在全速的电气环境中操作时,能以全速成功复位.设备成功复位后,设备成功响应设备和配置描述符请求,并且返回适当的信息.当在全速下工作时,设备可能或者不能支持预定义的功能.
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程序指令存储器和数据存储器分开的存储结构）。指令集:RISC（精简指令集计算机）和CISC（复杂指令集计算机）。CISC强调增强指令的能力，减少目标代码数量，但指令复杂，指令周期长。RISC强调尽量减少指令集，指令单周期执行，但是目标代码会更大。ARM，MIPS等内核CPU都采用了RISC指令集。数字信号处理器:针对通信，图像，语音，视频处理等领域的算法设计。它包含的硬件乘法器，DSP的乘法指令一般在单周期内完成，且优化了卷积，数字滤波，FFT，相关矩阵运算等算法中的大量重复乘法。
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。