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NandFlash的接口则不是，NANDFlash拥有属于自己的接口，这些接口虽然是可以通过GPIO进行模拟，但是因为有NandFlash的控制器，所以一般是通过NandFlash的控制器进行控制。NandFlash比NORflash而言，存储量比较的大，起码是一个数量级，而且写入速度也是快了很多。Flash的编程原理是稚嫩通过将1写为0，不能将0写为1，也就是falsh编程之前，进行块的擦除，其实就是将整个数据块设置为1（0XFF），后续写入的数据，为1的时候，就不需要更改，写入为0的时候，就将1变为0。
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一个设备可能有既支持自给电源的，同时也支持总线电源式的配置。有一些支持其中的一种，而另一些设备配置可能只有在自给电源下才能被使用。设备对电源支持的能力是通过配置描述表(configurationdescriptor)来反映的。当前的电源供给形式被作为设备状态的一部分被反映出来。设备可在时候改变它们的供电来源，比如说:从自给式向总线式改变，如果一个配置同时支持两种模式，那此状态的大电源需求就是指设备在两种模式下从VBUS上获取电能的大值。
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设备以此大电源作为参照，而究竟处于何状态是不考虑的。如果有一配置仅支持一种电源模式，那么电源模式的改变会使得设备失去当前配置与地址，返回加电状态。如果一个设备是自给电源式，并且当前配置需要大于100mA电流，那么如果此设备转到了总线电源式，它返回地址状态(Addressstate)。自给电源式集线器使用VBUS来为集线控制器(Hubcontroller)提供电源，因而可以仍然保持配置状态(Configuredstate)，尽管自给电源停止提供电源。
ROM在可细分为:不可编程ROM，可编程ROM，电可擦除可编程ROM（E2PROM），它可用软件来擦写。FLASH可分为NOR(或非)，NAND（与非）两种，Intel于1988年首先开发出Norflash技术，紧接着1989年，东芝发表了NANDflash结构，彻底改变了原先的EPROM，EEPROM的。NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。