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NorFlash:程序可直接在nor中执行，支持位擦写，支持SPI接口，存储量小。NandFlash:储存量大，页擦除，占用的I/O多。RAM可分为静态RAM和动态RAM。动态RAM储存在电容中，擦写速度快，由于电容器有漏电现象，因此需要定期刷新。静态RAM不需要定期刷新电路，储存速度慢。（好坏，快慢都是相比较而言的）其他嵌入式系统中往往还有些特定类型的RAM双端口RAM:具有两套独立的地址，数据总线，用于两个处理器之间的数据交互，具有同时读写的的功能。内容寻址RAM（CAM）:以内容进行寻址的存储器，是一种的存储阵列RAM，它的主要工作机制就是同时将一个输入的数据与存储在CAM中的数据自动进行比较，判断该输入数据项与CAM中存储单元的数据项是否相匹配，并输出该数据项对应的匹配信息。FIFO:先出队列:特点是先出，进出有序,FIFO多用于数据缓冲。
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USB总线拓扑结构一旦获悉有新设备连接上来，主机就会发送一系列的请求(Resqusts)给设备所挂载到的hub，再由hub建立起一条连接主机（Host）和设备（Device）之间的通信通道。然后主机以控制传输(ControlTransfer)的方式，通过端点0(Endpoint0)对设备发送各种请求，设备收到主机发来的请求后回复相应的信息，进行枚举（Enumerate）操作。的USB设备支持标准请求（StandardRequests），控制传输方式（ControlTransfer）和端点0（Endpoint0）。
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RAM可以分为:静态的RAM，也就是SRAM，和动态RAM，既DRAM。SRAM是数据被写上之后，就保持较为稳定的状态，因此不需要定期去刷新数据，一般CPU内部的高速缓存（cache）就是SRAM。而DRAM，是动态的，一般是以电荷的形式进行存储，也就是数据被存储在电容器，电容器因为漏电会导致电荷的流失，所以需要在定期地进行数据的刷新，我们常说的SDRAM、DDRSDRAM都是属于DRAM的范畴，一般将其理解为内存比较好理解。
那么请求处理函数和请求对列又是怎么联系到一起的呢？blk_init_queue该函数用来申请一个消息对列。参数request_fn_proc*rfn为函数指针，该函数用来处理消息对列中的消息；参数spinlock_t*lock为一个自旋锁，该锁为队列创建过程的一部分。当调用rfn函数时，该锁是由内核控制的。与该函数对应的函数为:voidmmc_cleanup_queue(structmmc_queue*mq)。销毁队列。